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插播:英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来等企业已参编《2024-2025 氮化镓(GaN)产业调研白皮书》,参编咨询请联系许若冰(hangjiashuo999 ...
前言5月30日,小米生态链企业酷态科在官方微博宣布即将推出一款新品——酷态科15 ...
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商业新知 on MSN瑞萨电子:从SiC“断臂”到GaN战略性布局近日,日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)传出解散其碳化硅(SiC)团队,并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划,这一消息在半导体行业激起千层浪。
一般情况下,GaN HEMT采用硅(Si)或碳化硅(SiC)作为衬底,但金刚石具有优异的热导率,约为Si的12倍、SiC的4至6倍,因此采用金刚石作为衬底可以将热阻分别降低至1/4和1/2。
TOLL GaN器件可通过业界通用的封装尺寸和集成特性增加价值。这些器件可帮助您使用不同的漏源导通电阻调整到不同的功率级别以及不同拓扑,同时不需要费心考虑布局,因为大多数检测和优化特性都已集成在功率级中。
NSD2622N采用纳芯微成熟可靠的电容隔离技术,高边驱动可以支持-700V到+700V耐压,最低可承受200V/ns的SW电压变化速率,同时高低边输出具有低传输延时和较小的传输延时匹配特性,完全满足GaN高频、高速开关的需求。此外,NSD2622N ...
2025年4月份,在赵老师的推荐下他报名了2025GAN杯第二届中匈青少年国际魔方公开赛海选赛。从那以后就去赵老师的机构——忆方魔方接受了赵老师一对一的指导,下开启了专业的赛前学习和训练。在赵老师的专业指导和毛庭康每天坚持不懈的训练下,金字塔魔方还原 ...
十轮网科技资讯 on MSN1 天
GaN功率芯片商Navitas继英伟达后再获大单 股价势头猛第三代半导体氮化镓(GaN)功率IC领导大厂纳微半导体(Navitas Semiconductor)日前喜获英伟达(Nvidia ...
网友自制王安宇刘浩存AI吻戏 ...
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证券之星股票频道 on MSN华灿光电(300323)6月6日主力资金净卖出1039.73万元证券之星消息,截至2025年6月6日收盘,华灿光电(300323)报收于6.7元,下跌1.18%,换手率1.11%,成交量9.79万手,成交额6559.17万元。
前言目前高功率电源设计面临效率、散热与体积的多重挑战,传统升压PFC+LLC方案虽成熟,但在效率(尤其低负载时)和功率密度上已接近瓶颈,且复杂电路增加了成本和损耗。此外,硅基器件在高频开关下的发热问题限制了性能提升,导致大功率电源往往体积庞大、能效难 ...
屡屡获得重大荣誉的背后,是太湖科学城功能片区深厚的技术积累与产业积淀。功能片区锚定光子、数字与智能、高端医疗器械三大产业集群,集聚国内外知名企业1500余家,其中,累计认定国家高新技术企业543家、上市企业11家,让产业加速“跑”起来,不断催生新技术 ...
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