【摘要】针对硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足，综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）的最新研究进展。通过总结SiCMOSFET 在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 电源变换 ...

近年来，全球的MOSFET行业市场规模始终保持稳定增长的趋势，其更强的功能性决定了广阔的市场前景。据统计，2022年全球MOSFET行业市场规模已增长至129.6亿美元，预计2023年将增长至133.9亿美元，2019-2023年的年均复合增长率达到11.9%。 我国MOSFET市场规模同样呈现 ...

[导读]【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列 ...

[导读]MOS 管在工作过程中会产生一定的热量，尤其是在大功率应用场景中，热量的积累如果不能及时散发出去，会使 MOS 管的结温不断升高。当结温超过其额定结温时，MOS 管的性能会受到严重影响，甚至会导致器件损坏。散热不良可能是由于散热片选型不当 ...